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复旦大学研发出第三类存储技术写入速度比目

来源: 作者: 2018-09-09 17:49:59

复旦大学研发出第三类存储技术 写入速度比目前U盘快1万倍

【科技讯】4月13日消息,复旦大学微电子学院的团队近日研发出一种新的存储技术,既能保证超高的读写速度,又能保证断电后数据不会丢失。据团队人员介绍,基于这项技术制作的存储元器件,其写入速度将会比普通U盘快上10000倍

复旦大学研发出第三类存储技术写入速度比目

而且这项技术还有比较厉害的地方,那就是能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是,这种技术采用了多重二维半导体材料,只要通过对材料比例的控制,便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。

以目前的情况来看,现在的存储技术有两种,一种是以内存为代表的易失性存储,速度很快,但断电后数据就没有,无法保存;另一种是以U盘为代表的非易失性存储,断电后依然能够保存数据,但缺点就是读写速度慢。

为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术,该团队创新性地选择了多重二维半导体材料,堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门,电子易进难出,用于控制电荷输送;氮化硼作为绝缘层,像是一面密不透风的墙,使得电子难以进出;而二硫化铪作为存储层,用以保存数据。周鹏说,只要调节“门”和“墙”的比例,就可以实现对“写入速度”和“非易失性”的调控。

此次研发的第三代电荷存储技术,写入速度比目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

目前这项技术还仅仅存在于实验室中,不过这项技术诞生于中国复旦大学,看来中国研发已经看齐世界水平。

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